数据列表 | SI5410DU |
---|---|
产品相片 | Pkg 5940 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 12A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 18 毫欧 @ 6.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1350pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 31W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 单 |
供应商器件封装 | PowerPAK? ChipFET 单通道 |
产品目录页面 | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI5410DU-T1-GE3TR SI5410DUT1GE3 |