  |
  |
您现在的位置：首页 > SI4942DY-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4942DY-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 双 N 沟道 40 V 0.021 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 双 N 沟道 40 V 0.021 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: Dual N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 0.021 Ω
- Qg Gate Charge: 32 nC
- Rated Power Dissipation: 1.1 W
询价