您现在的位置:首页 > SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3|VISHAY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SI4936CDY-T1-GE3
制造商: VISHAY
描述: 场效应管 MOSFET NN沟道 30V 5.8A SO8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
  • 场效应管 MOSFET NN沟道 30V 5.8A SO8
  • 晶体管极性: 双N沟道
  • 电流, Id 连续: 5.8A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 33mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 2.3W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 5.8A
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 5.8A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.04ohm
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ:800152669  电话:400-900-3095