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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4936CDY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET NN沟道 30V 5.8A SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 场效应管 MOSFET NN沟道 30V 5.8A SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET NN沟道 30V 5.8A SO8
- 晶体管极性: 双N沟道
- 电流, Id 连续: 5.8A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 33mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 2.3W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 5.8A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 5.8A
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.04ohm
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