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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4931DY-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | SI4931DY |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.7A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 18 毫欧 @ 8.9A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 350µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 52nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SI4931DY-T1-GE3TR SI4931DYT1GE3 |
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