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SI4910DY-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI4910DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
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产品信息
数据列表 SI4910DY
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)27 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)855pF @ 20V
功率 - 最大值3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC N
其它名称SI4910DY-T1-GE3TR
SI4910DYT1GE3
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