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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4866DY-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 单通道 N 沟道 12 V 0.0055 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 单通道 N 沟道 12 V 0.0055 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 0.0055 Ω
- Qg Gate Charge: 30 nC
- Rated Power Dissipation: 1.6 W
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