  |
  |
您现在的位置：首页 > SI4866BDY-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4866BDY-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 12V 21.5 A 5.3 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 52 nC Qg SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 12V 21.5 A 5.3 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 52 nC Qg SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 0.0053 Ω
- Qg Gate Charge: 80 nC
- Rated Power Dissipation: 4.45 W
询价