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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4864DY
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 17A
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 3.5mohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 600mV
- 功耗, Pd: 1.6W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- 上升时间: 44ns
- 下降时间: 72ns
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 时间, t off: 150ns
- 时间, t on: 40ns
- 晶体管数: 1
- 栅极电荷 Qg N沟道: 47nC
- 漏极电流, Id 最大值: 17A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds 典型值: 20V
- 电压, Vgs 最高: 8V
- 电流, Idm 脉冲: 60A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 3.5mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 3.5mohm
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