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SI4618DY-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI4618DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: 场效应管 MOSFET 双N沟道 带二极管 30V SO8
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET 双N沟道 带二极管 30V SO8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 0.014ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 1.98W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 功耗, Pd: 1.98W
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 模块配置: 双
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 30V
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 8A
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.014ohm
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