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制造商型号: SI4567DY-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,双,N/P沟道,40V,4.1A/3.6A,SOIC8
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产品信息
典型关断延迟时间30(P 沟道)ns,31(N 沟道)ns
典型接通延迟时间23(P 沟道)ns,74(N 沟道)ns
典型栅极电荷@Vgs12 nC @ -20 V(P 沟道),8 nC @ 20 V(N 沟道)
典型输入电容值@Vds355 pF @ 20 V(N 沟道),480 pF @ -20 V(P 沟道)
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SO-8
尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.75(N 沟道)W,2.95(P 沟道)W
最大栅源电压±16 V
最大漏源电压40(N 沟道)V,-40(P 沟道)V
最大漏源电阻值0.122(P 沟道)Ω,070(N 沟道)Ω
最大连续漏极电流-4.4(P 沟道)A,5(N 沟道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.5mm
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