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制造商型号: SI4559EY-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,双,N/P沟道,60V,4.5A/3.1A,SOIC8
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产品信息
典型关断延迟时间12(P 沟道)ns,36(N 沟道)ns
典型接通延迟时间13(N 沟道)ns,8(P 沟道)ns
典型栅极电荷@Vgs16 nC @ 10 V(P 沟道),19 nC @ 10 V(N 沟道)
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SOIC N
尺寸5 x 4 x 1.55mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.4 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.055(N 沟道)Ω,0.12(P 沟道)Ω
最大连续漏极电流3.1(P 沟道)A,4.5(N 沟道)A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.55mm
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