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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4559ADY-T1-GE
制造商： Vishay
描述： MOSFET，双，N/P沟道，60V，4.3A/3A，SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Vishay
描述： MOSFET，双，N/P沟道，60V，4.3A/3A，SO8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 20（N 沟道）ns，40（P 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15（N 沟道）ns，30（P 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 30 V（N 沟道），14.5 nC @ -30 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 650 pF @ -15 V（P 沟道），665 pF @ 15 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 3.1（N 沟道）W，3.4（P 沟道）W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60（N 沟道）V，-60（P 沟道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.072（N 沟道）Ω，0.15（P 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | -3.9（P 沟道）A，5.3（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
询价