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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4532ADY
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET 双 NP SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET 双 NP SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双 NP SO-8
- 晶体管极性: N和P沟道
- 电流, Id 连续: 4.9A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 53mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
- 功耗, Pd: 1.2W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- 功耗, Pd: 1.13W
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 晶体管数: 2
- 最高电压, Vds P沟道: 30V
- 栅极电荷 Qg N沟道: 8nC
- 栅极电荷 Qg P沟道: 10nC
- 漏极电流, Id 最大值: 3.7A
- 漏极连续电流, Id P沟道: 3A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds N沟道 1: 30V
- 电压, Vds P沟道 1: 30V
- 电压, Vds 典型值: 30V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 电流, Idm 脉冲: 20A
- 表面安装器件: SMD
- 通态电阻 @ Vgs = 10V N沟道: 53mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 10V P沟道: 80mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V N沟道: 75mohm
- 通态电阻 @ Vgs = 4.5V P沟道: 135mohm
- 通态电阻, P沟道 最大: 80mohm
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