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SI4427BDY-T1-GE3|VISHAY
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制造商型号: SI4427BDY-T1-GE3
制造商: VISHAY
描述: 场效应管 MOSFET P沟道 30V 9.7A 8SOIC
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 30V 9.7A 8SOIC
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -9.7A
  • 漏源电压, Vds: -30V
  • 在电阻RDS(上): 8.8mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 功耗, Pd: 1.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • 功耗, Pd: 1.5W
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电??, Id 最大值: -9.7A
  • 电压, Vgs 最高: 12V
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