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SI4330DY-T1-E3|VISHAY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SI4330DY-T1-E3
制造商: VISHAY
描述: 双通道 N 沟道 30 V 0.0165 Ohm 1.1 W 表面贴装 功率 MOSFET - SOIC-8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.0165 Ω
  • Qg Gate Charge: 20 nC
  • Rated Power Dissipation: 1.1 W
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