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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI4330DY-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 双通道 N 沟道 30 V 0.0165 Ohm 1.1 W 表面贴装 功率 MOSFET - SOIC-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 双通道 N 沟道 30 V 0.0165 Ohm 1.1 W 表面贴装 功率 MOSFET - SOIC-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: Dual N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 0.0165 Ω
- Qg Gate Charge: 20 nC
- Rated Power Dissipation: 1.1 W
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