SI3588DV-T1,SI3588DV-T1|VISHAY SILICONIX代理分销-SI3588DVT1全新原装货

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制造商型号： SI3588DV-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 20V 3.0/2.2A
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

否

晶体管极性:

N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:

+/- 20 V

闸/源击穿电压:

+/- 8 V

漏极连续电流:

2.5 A, 0.57 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

配置:

Dual

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TSOP-6

封装:

Reel

下降时间:

30 ns at N Channel, 29 ns at P Channel

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

830 mW

上升时间:

30 ns at N Channel, 29 ns at P Channel

工厂包装数量:

3000

商标名:

TrenchFET

典型关闭延迟时间:

28 ns at N Channel, 24 ns at P Channel

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