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SI3585CDV-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI3585CDV-T1-GE3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:
+/- 20 V
闸/源击穿电压:
12 V
漏极连续电流:
3.9 A, - 2.1 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
-
配置:
Single
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP-6
封装:
Reel
下降时间:
8 ns, 7 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
12 S, 1 S
栅极电荷 Qg:
3.2 nC
功率耗散:
1.4 W
上升时间:
20 ns, 10 ns
典型关闭延迟时间:
11 ns, 13 ns
零件号别名:
SI3585CDV-GE3
询价
*所需产品:
型号: SI3585CDV-T1-GE3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: MOSFET 20 Volts 3.9 Amps 1.4 Watts
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
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电话:
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