您现在的位置：首页 > SI3477DV-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI3477DV-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 12 V
闸/源击穿电压:+/- 10 V
漏极连续电流:- 8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:17.5 mOhms
配置:Single Quad Drain
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-6
封装:Reel
下降时间:30 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :30 S
栅极电荷 Qg:28.3 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:4.2 W
上升时间:10 nS
典型关闭延迟时间:65 nS
零件号别名:SI3477DV-GE3
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电脑版
Copyright(C) m.szcwdz.com 创唯电子 版权所有
QQ：800152669  电话：400-900-3095