SI3459BDV-T1-GE3,SI3459BDV-T1-GE3|VISHAY代理分销-SI3459BDVT1GE3全新原装货

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

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MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3459BDV-T1-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R

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Vishay Intertechnologies

MOSFET, P-CH, -60V, -2.9A, TSOP

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Vishay Intertechnologies

MOSFET, P-CH, -60V, -2.9A, TSOP

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies

P-CH MOSFET TSOP-6 60V 180MOHM @ 10V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 0.180ohms, Id -2.2A, TSOP-6, Pd 2W

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 2.9A 3.3W 216mohm @ 10V

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP 详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP 型号：SI3459BDV-T1-GE3 仓库库存编号：SI3459BDV-T1-GE3CT-ND 别名：SI3459BDV-T1-GE3CT <br>	无铅

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
SI3459BDV-T1-GE3	2646376	VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V (EN)
SI3459BDV-T1-GE3	2679686	VISHAY 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V (EN)

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF
	Siliconix / Vishay MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 0.180ohms, Id -2.2A, TSOP-6, Pd 2W 型号：SI3459BDV-T1-GE3 仓库库存编号：70026448

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
	SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY	SI3457BDV 系列 30 V 0.216 Ohm 12 nC P-沟道表面贴装 Mosfet - TO-236 查看详细

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	SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix	MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP 查看详细

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	SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY	SI3457BDV 系列 30 V 0.216 Ohm 12 nC P-沟道表面贴装 Mosfet - TO-236 查看详细
	SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix	MOSFET P-CH D-S 60V 6-TSOP 查看详细

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制造商型号： SI3459BDV-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： SI3457BDV 系列 30 V 0.216 Ohm 12 nC P-沟道表面贴装 Mosfet - TO-236
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

Channel Type: P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
Drain-Source On Resistance-Max: 216 mΩ
Qg Gate Charge: 12 nC
Rated Power Dissipation: 3.3 W

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