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SI3451DV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI3451DV-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
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产品信息
数据列表 SI3451DV
产品相片 Pkg 5540
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.8A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)115 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)5.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)250pF @ 10V
功率 - 最大值2.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商器件封装6-TSOP
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