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SI3438DV-T1-E3 Vishay Intertechnologies MOSFET 40V 7.4A 3.5W 35.5mohm @ 10V RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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SI3438DV-T1-E3 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 40V 5.5A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3438DV-T1-E3) RoHS: Not Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP 详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2W(Ta),3.5W(Tc) 6-TSOP 型号:SI3438DV-T1-E3 仓库库存编号:SI3438DV-T1-E3-ND | 无铅 |
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数据列表 | SI3438DV |
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产品相片 | Pkg 5540 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7.4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 35.5 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 640pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 3.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商器件封装 | 6-TSOP |