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SI3435DV-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号： SI3435DV-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:4.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:73 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-6
封装:Reel
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.1 W
工厂包装数量:3000
零件号别名:SI3435DV-GE3
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