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SI2347DS-T1-GE3|Vishay Semiconductors
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制造商型号: SI2347DS-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductors
描述: MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 30 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:- 3.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):68 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
封装:Reel
下降时间:9 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
栅极电荷 Qg:6.9 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.7 W
上升时间:6 ns
典型关闭延迟时间:19 ns
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