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SI2341DS-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI2341DS-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET P-CH 30V SOT-23
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产品信息
数据列表 SI2341DS
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)72 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)400pF @ 15V
功率 - 最大值710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
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