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SI2338DS-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号： SI2338DS-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:23 mOhms
配置:Single
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23
封装:Reel
下降时间:7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :24 S
栅极电荷 Qg:8.2 nC
功率耗散:2.5 W
上升时间:11 ns
典型关闭延迟时间:20 ns
零件号别名:SI2338DS-GE3
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