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SI2312BDS-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI2312BDS-T1-E3
制造商:
VISHAY
描述:
单 N 沟道 20 V 0.031 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.031 Ω
Qg Gate Charge:
12 nC
Rated Power Dissipation:
0.75 W
询价
*所需产品:
型号: SI2312BDS-T1-E3 品牌: VISHAY 备注: 单 N 沟道 20 V 0.031 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
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