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SI2309DS-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI2309DS-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:60 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:1.25 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:340 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-236-3
封装:Reel
栅极电荷 Qg:5.4 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.25 W
工厂包装数量:3000
零件号别名:SI2309DS-GE3
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