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制造商型号: SI2309DS-T1-E
制造商: Vishay
描述: MOSFET,P沟道,60V,1.25A,SOT23
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间15.5 ns
典型接通延迟时间10.5 ns
典型栅极电荷@Vgs5.4 常闭 V @ 10
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型SOT-23,TO-236
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.25 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.34 Ω
最大连续漏极电流1.25 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置
长度3.04mm
高度1.02mm
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