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SI2302ADS-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI2302ADS-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
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产品信息
数据列表 SI2302ADS
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.1A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)300pF @ 10V
功率 - 最大值700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
产品目录页面1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI2302ADS-T1-E3TR
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