  |
  |
您现在的位置：首页 > SI1903DL-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI1903DL-T1-E3
制造商： VISHAY
描述： 双 P 沟道 20 V 0.995 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - SC-70-6 (SOT-363)
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY
描述： 双 P 沟道 20 V 0.995 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - SC-70-6 (SOT-363)
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: Dual P-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 0.995 Ω
- Qg Gate Charge: 1.8 nC
- Rated Power Dissipation: 0.27 W
询价