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SI1902CDL-T1-GE3|VISHAY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号: SI1902CDL-T1-GE3
制造商: VISHAY
描述: 双 N 沟道 20 V 0.235 Ohm 0.42 W 表面贴装 Mosfet - SC-70-6
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.235 Ω
  • Qg Gate Charge: 3 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.42 W
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