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制造商型号： SI1557DH-T1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:+/- 12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:1.3 A, 0.86 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:-
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-363-6
封装:Reel
下降时间:10 nS, 10 nS
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :0.8 S, 1.2 S
栅极电荷 Qg:0.8 nC, 1.1 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:600 mW
上升时间:25 nS, 30 nS
工厂包装数量:3000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:25 nS, 15 nS
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