网站首页
创唯简介
品牌索引
联系我们
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存
50个仓库,1500万条库存数据任选
您现在的位置:
首页
>
SI1443EDH-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
SI1443EDH-T1-GE3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
P-Channel
汲极/源极击穿电压:
- 30 V
闸/源击穿电压:
12 V
漏极连续电流:
4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
54 mOhms
配置:
Single
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-363 (SC-70-6)
封装:
Reel
下降时间:
420 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
14 S
栅极电荷 Qg:
18.5 nC
功率耗散:
2.8 W
上升时间:
64 ns
典型关闭延迟时间:
1800 ns
零件号别名:
SI1443EDH-GE3
询价
*所需产品:
型号: SI1443EDH-T1-GE3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: MOSFET -30V 54mOhm@10V 4A P-Ch G-III
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
Copyright(C)
m.szcwdz.com
创唯电子 版权所有
QQ:
800152669
电话:
400-900-3095