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SI1300BDL-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI1300BDL-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3
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产品信息
数据列表 SI1300BDL
产品相片 Pkg 5549
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)400mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)850 毫欧 @ 250mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.84nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)35pF @ 10V
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SC-70-3
其它名称SI1300BDL-T1-GE3TR
SI1300BDLT1GE3
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