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SI1062X-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: SI1062X-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CHAN 20V D-S SC-89
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产品信息
数据列表 SI1062X
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)530mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)420 毫欧 @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)2.7nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)43pF @ 10V
功率 - 最大值220mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-89,SOT-490
供应商器件封装SC-89-3
其它名称SI1062X-T1-GE3TR
SI1062XT1GE3
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