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产品信息
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晶体管 IGBT模块 2X1200V
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晶体管极性:
N沟道
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集电极直流电流:
642A
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饱和电压, Vce sat 最大:
2.15V
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电压, Vceo:
1.2V
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SEMiX 3s
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针脚数:
7
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
60ns
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封装/箱盒:
SEMiX 3s
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工作温度范围:
-40°C 至 +150°C
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晶体管类型:
沟
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最大连续电流, Ic:
700A
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模块配置:
双
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正向浪涌电流, Ifs 最大值:
2900A
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电压, Vrrm:
1.2kV
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电流, Icm 脉冲:
900A
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集电极电流, Ic 平均值:
700A
产地:
DE
Germany
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