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产品信息
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双IGBT模块 1200V
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晶体管极性:
N沟道
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饱和电压, Vce sat 最大:
2.15V
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电压, Vceo:
1.2kV
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封装类型:
SEMiX 3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD标号:
SEMiX3
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上升时间:
55ns
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外宽:
149.5mm
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外部深度:
61.6mm
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安装孔中心距:
137mm
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安装孔直径:
5.5mm
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封装/箱盒:
SEMiX 3
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晶体管数:
2
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最大连续电流, Ic:
480A
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温度 @ 电流测量:
25°C
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电压:
1.2kV
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电压, Vces:
1.2kV
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电流, Icm 脉冲:
480A
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集电极电流, Ic 平均值:
480A
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集电极连续电流, Ic 最大值:
330A
产地:
DE
Germany
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