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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： RUM003N02T2L
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.3A VMT3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： ROHM
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.3A VMT3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.3A VMT3
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 300mA
- 漏源电压, Vds: 20V
- 在电阻RDS（上）: 700mohm
- 电压 @ Rds测量: 4V
- 功耗, Pd: 150mW
- 封装类型: VMT
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
- 漏极电流, Id 最大值: 300mA
- 电压, Vgs 最高: 8V
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