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场效应管 MOSFET P 20V 3A
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
3.2A
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漏源电压, Vds:
20V
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在电阻RDS(上):
125mohm
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电压 @ Rds测量:
-4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
-2V
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功耗, Pd:
1W
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封装类型:
TSMT
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针脚数:
3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
1W
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功耗, Pd:
1W
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封装/箱盒:
TSMT3
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漏极电流, Id 最大值:
-3A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
2.5V
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电压, Vds 典型值:
-20V
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电压, Vgs 最高:
-12V
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电流, Idm 脉冲:
12A
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表面安装器件:
SMD
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阈值电压, Vgs th 最低:
-0.7V
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阈值电压, Vgs th 最高:
-2V
产地:
KR
Korea (Republic of)