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产品信息
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场效应管 MOSFET N VGS -2.5 V
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
2.5A
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
98mohm
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电压 @ Rds测量:
4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
800mW
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封装类型:
TUMT
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针脚数:
3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
15ns
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下降时间:
11ns
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封装/箱盒:
TUMT3
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晶体管类型:
被保护的MOSFET
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
2.5V
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电压, Vds 典型值:
30V
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电容值, Ciss 典型值:
270pF
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电流, Idm 脉冲:
10A
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表面安装器件:
SMD
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针脚配置:
G(1),D(2),S(3)
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阈值电压, Vgs th 最低:
500mV
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阈值电压, Vgs th 最高:
1.5V
产地:
TH
Thailand
询价