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美国2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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| RSS120N03FU6TB ROHM Semiconductor MOSFET 30V 12A N CHANNEL
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 | Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP 型号：RSS120N03FU6TB 仓库库存编号：RSS120N03FU6TB-ND | 无铅 |
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制造商型号： RSS120N03FU6TB
制造商： Rohm Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Rohm Semiconductor
描述： MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | RSS120N03 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1360pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
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