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RSD200N10TL|Rohm Semiconductor
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制造商型号: RSD200N10TL
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
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产品信息
数据列表 RSD200N10
产品相片 TO-263
产品目录绘图 CPT-3, D-PAK Series
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)52 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2200pF @ 25V
功率 - 最大值20W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装CPT3
产品目录页面1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称RSD200N10TLTR
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