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RRS110N03TB1|Rohm Semiconductor
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制造商型号: RRS110N03TB1
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
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产品信息
数据列表 RRS110N03
产品相片 8-SOIC
产品目录绘图 RRS, RSS Series 8-SOP, 8-SOIC
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)12.6 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)33nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2000pF @ 10V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
产品目录页面1637 (CN2011-ZH PDF)
其它名称RRS110N03TB1TR
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