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RQK0604IGDQA#H6|RENESAS
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制造商型号: RQK0604IGDQA#H6
制造商: RENESAS
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SC-59A
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SC-59A
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 2A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS(上): 0.111ohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 功耗, Pd: 800mW
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 2A - 4星期
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
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