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RQ1A070ZPTR|Rohm Semiconductor
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制造商型号: RQ1A070ZPTR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
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产品信息
数据列表 RQ1A070ZP
产品相片 TSMT8
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)12 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)58nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)7400pF @ 6V
功率 - 最大值1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装TSMT8
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