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RP1E100RPTR|Rohm Semiconductor
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制造商型号: RP1E100RPTR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
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产品信息
数据列表 RP1E100RP
产品相片 MPT6 Series
产品目录绘图 MOSFET P-Channel MPT6
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)10A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)12.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)39nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3600pF @ 10V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-SMD,扁平引线
供应商器件封装MPT6
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