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制造商型号: RN1110(F
制造商: Toshiba
描述: Transistor, digital, NPN, RN1110(F)
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产品信息
典型输入电阻器4.7 kΩ
安装类型表面贴装
宽度0.8mm
封装类型ESM
尺寸1.6 x 0.8 x 0.7mm
引脚数目3
晶体管类型NPN
最低工作温度-55 °C
最大发射极-基极电压5 V
最大连续集电极电流100 mA
最大集电极-发射极电压50 V
最大集电极-发射极饱和电压0.3 V
最小直流电流增益120
最高工作温度+150 °C
配置
长度1.6mm
高度0.7mm
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