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RJU003N03T106
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
RJU003N03T106
制造商:
ROHM
描述:
场效应管 MOSFET 30V 0.3A N沟道 UMT3
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET 30V 0.3A N沟道 UMT3
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 300mA
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 1.1ohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
功耗, Pd: 200mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: UMT
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: UMT3
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管类型: 小信号
漏极电流, Id 最大值: 300mA
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: 12V
表面安装器件: SMD
产地: JP Japan
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型号: RJU003N03T106 品牌: ROHM 备注: 场效应管 MOSFET 30V 0.3A N沟道 UMT3
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