RJK0853DPB-00#J5,RJK0853DPB-00#J5|Renesas Electronics America代理分销-RJK0853DPB00J5全新原装货

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RJK0853DPB-00-J5 Renesas Electronics Corporation 询价查看资料	0 1起订 6-10天	1+ 10+ 100+ 500+ 1000+	￥47.22 ￥30.95 ￥47.22 ￥17.73 ￥16.46 询价

美国2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

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RJK0853DPB-00#J5
Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK

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MOSFET JET Series MOSFET, 80V, LFPAK, Pb-F, HF

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	Renesas Electronics America MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK 型号：RJK0853DPB-00#J5 仓库库存编号：RJK0853DPB-00#J5TR-ND 别名：RJK0853DPB-00#J5-ND <br>RJK0853DPB-00#J5TR <br>	无铅

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制造商型号： RJK0853DPB-00#J5
制造商： Renesas Electronics America
描述： MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	RJK0853DPB
产品相片	5-LFPAK, SC-100
标准包装	2,500
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	40A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	40nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	6170pF @ 10V
功率 - 最大值	65W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-100，SOT-669
供应商器件封装	LFPAK
其它名称	RJK0853DPB-00#J5-ND RJK0853DPB-00#J5TR

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