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RJH1CV6DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation IGBT Transistors IGBT RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Renesas Electronics America IGBT 1200V 60A 290W TO-3P 详细描述:IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P 型号:RJH1CV6DPK-00#T0 仓库库存编号:RJH1CV6DPK-00#T0-ND 别名:RJH1CV6DPK00T0 <br> | 无铅 |
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数据列表 | RJH1CV6DPK |
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产品相片 | TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A |
标准包装 | 100 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | 沟道 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.6V @ 15V,30A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
功率 - 最大值 | 290W |
Switching Energy | 2.3mJ (开), 1.7mJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 105nC |
Td (on/off) A 25°C | 46ns/125ns |
Test Condition | 600V, 30A, 5 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 180ns |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | RJH1CV6DPK00T0 |